二次电子分辨率： ≤ 0.7 nm@15KV，≤ 1.2 nm@1kV加速电压：优于 0.02kV ～ 30 kV，步进 10V放大倍率：8X ～ 2,000,000X配件： 电制冷能谱仪：牛津 Ultim Max，100mm2电子背散射衍射仪：牛津 EBSD

热场发射扫描电子显微镜 X 射线能谱仪 FESEM-EDS

电镜技术

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