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反应离子刻蚀 RIE Samcon
设备型号:RIE-10NR
厂       家:Samcon
所属地区:浙江
  • 技术参数:

    反应室容量:最大 8 寸;射频功率:最大 300W, 反射功率小于 5W;RF 放电压力:4~50Pa;刻蚀速度:>50nm/min;刻蚀均匀性 : ±5%

    功能特色:

    反应离子刻蚀 RIE

    样品要求:

    应用领域:

    成分分析

    服务范围:

    收费标准:

    面议

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