1 最大样品尺寸8英寸2 射频源功率：600 W3 反应腔底压：≤1x10-3 Pa4 刻蚀片内均匀性：＜5%5 刻蚀速率：SiO2＞30 nm/min，Si3N4＞30 nm/min6 工艺气体6路：CF4、CHF3、SF6、C4F8、Ar、O2

用于硅、二氧化硅、氮化硅等材料的各向异性刻蚀

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