1 腔体PID控温2 HF气体探测器3 最大样品尺寸8英寸4 SiO2100%释放且无黏附5 悬臂SiO2刻蚀速率:>0.3 μm/min6 兼容Al、Au、Ti、Si、Si3N4等多种材料
用于 MEMS 器件中二氧化硅牺牲层的释放、SOI 基底结构中的二氧化硅层释放
面议