1.基片尺寸：碎片/2/4/6 英寸2.支持双面对准、键合对准3.最小线宽：0.8 μm4.曝光功率：≥20 mW/cm25.光强均匀性: ≤3%6.正面对准精度: ≤0.5 μm7.背面对准精度: ≤1 μm

微纳结构与器件图形光刻

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