最高加速电压：200 kVTEM像分辨率：300kV时，分辨率0.08nm（mono off）；0.07nm（mono on）。 80kV时，可实现石墨烯等二维薄材料的原子缺陷观察等。EDS ≤130 eV/100 kcps分析元素范围：Be - UGIF能量分辨率：≤1.1 eV

HAADF、EELS、EDS、BF/ADF

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