电子束分辨率·在最佳工作距离下 -1kV下 0.7nm -500V下 1.0nm（ICD）· 在束重合点∶ -15kV下 0.6nm -1kV下1.2nm 离子光学 ●高性能电感耦合Xe+等离子体（ICP）PFIB 2.0镜筒 ●离子束流范围∶1.5pA-2.5 μA ●加速电压范围∶2kV-30 kV ●最大水平视场宽度∶在束重合点出为0.9mm ●离子束分辨率（在重合点处）∶-30kV下<20nm（采用首选统计方法）-30kV下<10nm（采用选边法） 探测器 ●Elstar 透镜内SE/BSE 探测系统（TLD-SE、TLD-BSE) ● Elstar 镜筒内SE/BSE 探测系统 （ICD）*·ETD-Everhart-Thornley 二次电子探测器 ●样品室红外 CCD相机，用于样品台高度观察 ●ICE探测器-高性能离子转换和电子探测器，用于采集二次电子和二次离子* ●Nav-Cam"M∶样品室内彩色光学相机，用于样品导航* ●DBS-可伸缩式低电压、高衬度、定向固态背散射电子探测器*集成电子束流测量 SEM：微观形貌表征 EDS：点/线/面微区成分分析 EBSD：晶体材料取向与织构分析 FIB（Xe+）：聚焦氙离子束微纳加工 原位拉伸加热试验：获得应变或温度曲线的实时形貌观察与成分分析3D表征：大尺度范围（百微米级）材料形貌/成分/取向重构

氙离子束，加工效率高，数十倍于镓离子束微纳加工，TEM样品制备 SEM，EDS，EBSD分析及3D重构 自动化程度高 配备齐全：高温拉伸台 微观连续切片与3D 重构 功能：晶粒等组织三维重构 尺寸：120um见方，片厚0.1um 连续切片上千片，<10min/片， 每个切片：自动SEM，EBSD等采集特点：全自动化 高温原位力学性能及EBSD变化分析 功能：拉伸同时采集EBSD，观察高温拉伸下的晶粒变形及取向变化 试样：长60mm ，拉伸断面1mm*2mm 最大载荷：10KN 最高温度：800℃ 拉伸速度：0.3µm/s~50µm/s 最大位移量：≥45mm 微纳加工与TEM样品制备 切削速度快 无Ga污染

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