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光刻掩模设计与加工介绍
2021-08-13
阅读2995

光刻掩模版,别称“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”,一般使用玻璃或者石英表面覆盖带有图案的金属图形,实现对光线的遮挡或透过功能,是微电子光刻工艺中的一个工具或者板材。我们利用光罩可以实现微电子工艺中的图形传递。光刻掩模版的加工技术主要有两种:其一为激光直写技术;其二为电子束直写部分,两种技术区别在于光源不同,实现的精度有所区别。


掩模版种类及其应用范围普通版 :一般使用苏打玻璃或者石英,常见2寸到10寸,线宽一般在1um以上,主要用户接触式曝光机,转移图形与版图尺寸为1:1,实现同比例的图形转移。

Stepper版:一般使用石英版,常见为5寸和6寸版,线宽一般在1um以上,主要用于Stepper曝光机台,转移图形与版图尺寸实际比例一般是4:1或者5:1,实现将版图图形缩小4~5倍之后投射于目的片上。

纳米压印版:一般用石英版,刻蚀其表面的金属形成沟槽和透光不透光的组合,尺寸一般需要5寸及以上,采用电子束直写的技术实现表面nm图形的转移,一般线宽在200~800nm左右,借助掩模版对光刻胶的压力、同时辅助紫外曝光,最终实现纳米级图形的转移。

金属掩模版:一把采用不锈钢,在不锈钢表面通过激光加工或者腐蚀的方式,实现表面镂空的图形设计,最小线宽一般要50um,能够用于电子束蒸发中,用于电极图形的转移。


文章最后附有推介版图尺寸类型对应能做到的精度及线宽,为大家提供参考。


光刻掩模版加工工艺介绍及相关设备

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电子束直写 Vector Scan(莱卡)

技术参数与能力:

工作电压:50kV

电流密度:10 A/cm2

扫描区域:150 mm*150mm

套刻精度:12 nm(3ơ)

条宽均匀:13 nm(3ơ)

版图尺寸:只可以制作6025的石英版掩模

最小条宽:90 nm+-12 nm


激光束直写(美国) Raster Scan

技术参数与能力:

 扫描区域:150 mm*150mm

 套刻精度:12 nm(3ơ)

 条宽均匀:15 nm(3ơ)

 版图尺寸:6025、6012、5009的石英版掩模版

 最小条宽:0.8 um+-50nm


无掩膜激光直写光刻机

技术参数与能力:

最小条宽:0.8 um+-50nm

工作波长:405 nm

分辨率:0.8 um

条宽均匀度:150 nm(3ơ)

套刻精度:150 nm

版图尺寸:4~9寸石英、苏打玻璃掩模版、3~8寸硅片


多腔室电感耦合等离子体刻蚀机ICP

技术参数与能力:

刻蚀:Cl基刻蚀腔:刻蚀Cr (已开发)

F基刻蚀腔: 刻蚀MoSiX (已开发)

样品尺寸:5寸、6寸

刻蚀SiO2、SiNx、Cr等金属的刻蚀


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如果有相关掩模版的需求可以点击提交您的需求。点我提交需求

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