服务描述
曝光面积:可协商
最小线宽:15-20nm
光刻胶种类:PMMA&HSQ
刻蚀工艺:可协商
样品尺寸:2寸之内
项目介绍
电子束曝光技术在MEMS、光电、光通讯、微波/功率器件、微纳加工、新材料研究等领域具有广泛应用
样品要求
2寸以内
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最小线宽:15-20nm
光刻胶种类:PMMA&HSQ
刻蚀工艺:可协商
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