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高电子迁移率晶体管(HEMT)代仿真和分析服务
周 期:2个工作日
价 格:面议/
提供高电子迁移率晶体管(HEMT)代仿真和分析服务
服务描述

高电子迁移率晶体管(HEMT)代仿真和分析服务

 

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1.  主要服务内容

1HEMT器件仿真项目的构建

     ---包含HEMT器件结构建模(2D3D材料参数设置计算方案设计、收敛性优化设置

(2)HEMT器件参数校正:

     ---根据客户所提供的实验数据进行仿真与实验的拟合,以校正材料参数和物理模型参数,形成具有客户独有的材料参数和物理模型参数数据库。

(3)HEMT器件性能评价

     ---考核HEMT器件特性,包含正向IV、反向BV、带外电路的mix-mode性能、界面效应、栅极漏电、缺陷分布、能带结构、载流子分布、内部电场/电势分布等,并分析其优劣的物理原因,出具性能分析报告;

(4)HEMT器件结构优化

     ---针对性能不佳的HEMT器件,通过仿真对器件外延层结构、界面效应、缺陷分布、侧向芯片结构、电极形状等方面进行优化,为用户提供最终优化方案;

 

2. HEMT器件种类

编号

器件名称

1

GaAs/GaN based HEMT

2

D-mode/E-mode HEMT

3

Short-channel HEMT

3. 仿真及分析软件

软件名称

型号及厂家

功  能

APSYS

2018-64bit

CROSSLIGHT

基于2D/3D的有限元分析方法,结合先进物理模型,求解2D/3D光、电、热的方程,实现对半导体器件的仿真。

4. 技术优势:

1)技术团队专注于化合物半导体器件仿真与分析10年以上经验;

2软件开放性:可根据用户需要修改和添加新材料,可按照用户要求在软件核心程序中添加物理模型,实现特殊的仿真功能。

3)一条龙服务:为用户提供结构建模、仿真、性能分析和优化系统服务,并出具报告。

4服务的时效性:7*24小时,随时随地的服务支持;

 

5. 合作方式:

   一对一具体洽谈,根据用户需要和仿真内容制定方案及报价。


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