EMMI/Obirch测试

一、概述

Obirch利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描，激光束部分能量转化为热能，如果金属互联线存在缺陷，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开，这将导致缺陷处温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。

Obirch和EMMI是同一个设备的不同模式。在金属覆盖区域有热点的话，Obirch也可以检测出来。两种都可以进行正面和背面检测，可以在大范围内准确并迅速定位集成电路中的微小失效点，并通过后续的去层处理、电镜扫描和光学显微镜观察，对缺陷进行界定，找出失效机理并进行根因分析，因而在器件和集成电路失效分析中得到广泛应用。

二、EMMI和OBIRCH区别

三、设备介绍

通过使用探测器探测电路发出的微弱光子和激光刺激引起的回路电信号变化来定位电路的失效点并通过图像的方式呈现出来。

2.应用：

用于晶圆、晶圆部件和封装器件开封后芯片的背面和正面分析

3.设备功能：

主要用来检测芯片内部的金属短路、接触异常、漏电（结漏、氧化物漏、硅晶化相关缺陷引起的漏电）等。在面板显示领域，常用于IC 异常、bonding 异常、TRX short、GOA short AA 区 short FPC short等检测分析。

微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种常用的芯片失效分析手段，可以用于确认芯片的失效位置。其原理是对样品施加适当电压，失效点会因加速载流子散射或电子-空穴对的复合而释放特定波长的光子，这时光子就能被检测到，从而检测到漏电位置。

晶圆、晶圆部件和封装器件开封后芯片的背面和正面分析/芯片