服务描述
特点:
固体直接进样
无标样定量
全元素同时分析
测量范围宽,可由ppb级至基体含量
可出CNAS报告
GDMS测试原理
在辉光放电质谱的离子源中被测样品作为辉光等离子体光源的阴极,在阴极与阳极之间充入惰性气体(一般为氩气),并维持压力为10-1000 Pa。在电极两端加500-1500 V的高电压时,Ar电离成电子和Ar+,Ar+在电场的作用下加速移向阴极。阴极样品的原子在氩离子的撞击下,以5-15eV的能量从阴极样品上被剥离下来(阴极溅射),进入等到离子体,在等离子体中与等离子体中的电子或亚稳态的Ar原子碰撞(Penning)电离,变成正离子:M+e-→M++2 e-,M+Ar*一M++Ar+ e-
项目介绍
半导体材料分析、高纯金属分析、合金材料分析、粉末及非导体材料成分分析GD-MS具有不可替代的作用
样品要求
导体样品
片状:12-20mm*12-20mm*2-5mm ,表面平整光洁
针状: 2-3mm*2-3mm*22mm ;表面平整光洁
非导体样品
粉末: 均匀性好,不含水份
结果展示
案列:
1.可对超薄薄膜纯度进行分析
案例1:对100um碳化硅薄膜全元素分析
案例2:对60um碳化硅薄膜全元素分析
微信扫码直接开聊
关注我们
扫描关注“米格实验室”公众号