刻蚀工艺

离子束刻蚀（IBE）：用于较难刻蚀的金属或其他非常规材料，如Cr、Au、Pt、Cu、ITO、WO3等材料

深硅刻蚀（DRIE）：用于刻蚀硅材料，深宽比可以做到50:1，刻蚀均匀性<±5%

反应离子刻蚀（RIE）：刻蚀Si，SiO₂，SiNx等

聚焦离子束刻蚀（FIB）：可对材料和器件进行刻蚀、沉积、掺杂等微纳加工

电感耦合（ICP）等离子刻蚀：用于刻蚀Si、石英、GaN，GaAs，InP等材料

衬底大小：8英寸、6英寸、4英寸、2英寸以及不规则小片

刻蚀是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀的技术，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻联系的图形化处理的一种主要工艺。刻蚀分为干法刻蚀和湿法腐蚀。米格实验室目前掌握离子束刻蚀（IBE）、深硅刻蚀（DRIE）、反应离子刻蚀（RIE）、聚焦离子束刻蚀（FIB）、电感耦合（ICP）等离子刻蚀、湿法腐蚀等多种刻蚀方式。并会根据客户的需求，设计刻蚀效果好，性价比高的刻蚀解决方案。

硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英、蓝宝石等材料