FIB-SEM-Raman-TOF SIMS联用

技术参数

FIB-SEM

二次电子分辨率：0.9nm@15kV；1.4nm@1kV 

聚焦离子束：分辨率：< 2.5nm@30kV 

探针电流：1pA - 100nA 

放大倍率：2 × -2000000 ×

TOF-SIMS

元素检测下限：5ppm 

空间分辨率：水平方向40nm；垂直方向>3nm 

质量数范围：1-2500

Raman

激光波长：532nm、785nm

共聚焦分辨率：XY方向360nm；Z方向2000nm 

拉曼光谱范围：95-4000cm-1（532激光） 

光谱分辨率：优于1.5cm-1

 EDS

170mm²超大面积活区

 能量分辨率：Mn Ka保证优于127eV

元素分析范围：Be4-Cf98

 EBSD

在线最高解析标定速度优于3000点/秒； 最小工作电流100pA，最小工作电压5KV;

 其他附件：纳米机械手、CL、STEM

该系统在FIB-SEM系统的基础上配备了拉曼（Raman）、飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）、能谱仪（EDS）、背散射电子衍射仪（EBSD）、阴极荧光（CL）、扫描透射探测器（STEM）以及多种加工、分析型附件，能够更加全面地对样品进行多角度原位分析

样品干燥，导电性好，热稳定性好，无放射性