1.离子束刻蚀（IBE）技术的原理？

   利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。刻蚀过程即把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。

2.离子束刻蚀（IBE）适合的材料体系？

   可用于刻蚀加工各种金属（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、聚合物、陶瓷、红外和超导等材料。

   目前离子束刻蚀在非硅材料方面优势明显，在声表面波、薄膜压力传感器、红外传感器等方面具有广泛的用途。

3. 离子束刻蚀（IBE）技术的优点和缺点？

a 优点：

 （1）方向性好、无钻蚀、陡直度高；

 （2）刻蚀速率可控性好，图形分辨率高，CD可小于0.1um；

 （3）属于物理刻蚀，可以突破刻蚀材料的限制；

 （4）刻蚀过程中可改变离子束入射角来控制图形轮廓，加工特殊的结构；

b 缺点：

 （1）刻蚀速率慢、效率比ICP更低；

 （2）难以完成晶片的深刻蚀；

 （3）属于物理刻蚀，常常会有过刻的现象。

4.反应离子刻蚀（RIBE）技术简介及优点？

   反应离子束刻蚀（RIBE）是在离子束刻蚀的基础上，增加了腐蚀性气体，因此它不但保留了离子束物理刻蚀能力，还增加了腐蚀性气体（氟基气体、O2）离化后对样品的化学反应能力（反应离子束刻蚀：RIBE），也支持腐蚀性气体非离化态的化学辅助刻蚀能力（化学辅助离子束刻蚀：CAIBE），对适用于化学辅助的材料可以大幅度提升刻蚀速率，提高刻蚀质量。

5.离子束刻蚀（IBE）设备目前由哪些厂家？

   主要有爱德万斯、创世威纳、金盛微纳、中电48所、美国Nanomaster、美国Vecco、英国牛津Oxford等。目前国内主要的IBE刻蚀设备都来自于国内，爱德万斯技术来源于航天，具有30多年的积累，目前为行业主流供应商。

6.离子束刻蚀（IBE）设备的简介及主要的性能指标？

刻蚀气体：Ar

Ar+离子能量范围：0-1000eV

极限真空：< 8.5*10-5Pa

Ar+离子束有效束径：>100 mm

基片尺寸：≤6英寸，向下兼容任意规格样品

刻蚀均匀性：4英寸均匀性优于±5% ，6英寸均匀性优于±7%

刻蚀速率：通常10nm~50nm/min（与刻蚀材料和工艺有关）

倾斜角度：0~90°

6. 离子束刻蚀（IBE）的案例展示  

7. 离子束刻蚀（IBE）相关业务介绍？

（1）客户须知：

  需要告知基片名称、尺寸和刻蚀数量，待刻蚀材料种类膜层结构，有无掩模、掩模材料和厚度，衬底材料。

（2）收费情况：

  按照时间：每次刻蚀4小时以内按照1500/次，超过4h之后每小时加收400；

  按照片数：适用于小批量的超过10片以上，4寸的按照800/片，10片起，每片刻蚀时间不超过4h。 6寸的按照1000/片，10片起，每片刻蚀不超过4h；

  定 制 化： 根据具体的需求进行评估，单独报价。