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内容简介
FAPS2000HN型全自动探针台
STS 8203S半导体分立器件测试系统
相关问题解答

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FAPS2000HN型自动探针台参数表:

项      目

性能指标


可测圆片尺寸

6″、 8″晶圆


X、Y工作台

行程

X方向200mm×Y方向400mm

分辨率

1μm


定位精度

≤ ±3μm


承载最高测试电压

2KV


控制

大理石基座,直线电机,光栅尺闭环


(最大速度200mm/S)



承片台

行程

20mm

分辨率

1μm


定位精度

≤ ±3μm


θ台微调范围

±10 º (分辨率0.0007 º)


上、下片

方式

自动上、下料/手动

Wafer固定

真空吸附(分档)


上、下料

双Cassette,每个Cassette盒装25片晶圆


6、8英寸兼容



图像对准

方式

模板对准,实时MAP

显微镜

标准配置

双目体视显微镜:10×目镜,镜体倍率:0.6×~5×,

LED环光照明,工作距离:80-110mm

固定观察探针位



外形尺寸

1280 mm×950 mm×1200 mm(宽×深×高)


设备重量

约500 KG


使用环境

电源

AC 220V±22V   50Hz±1Hz  不大于1.5kW

工作环境

温度15ºC-30ºC,湿度<60%


保护气源

保护氮气接口


真空源

WAFER固定无油真空泵(自配)



探卡盘用于装夹探针卡。适用于芯片引脚较多,针座无法布置的测试情况。探针卡固定安装在探卡盘上,具有整体调平、角度调整功能,调整所有针尖端面平行于晶圆,对准测试PAD,设备按照设定参数运行连接探针,顺序进行测试。探针座方式时(测试PAD点较少),通过显微镜观察,分别独立调整对应探针三维坐标,对准测试PAD,设备按设定参数运行,顺序测试。测试时根据芯片最高点位置设置接触分离高度,系统自动运行。

软件基本功能:

  • 晶圆测试模式,图像自动对准,晶圆测试自动完成晶圆扫平和芯片对准功能、阵列测试直至全部完成。

  • 圆形、编辑等多种测试方式。

  • 同步、离线打点方式。

  • 示教功能,方便调试操作。

  • 测试工艺文件加载,方便不同种类芯片测试。

  • MAP图动态显示测试全过程,CCD显示测试运行过程。

  • 支持重测、MAP编辑、跳测功能,校正功能。

  • 四级权限操作管理。

  • 测试仪接口:GPIB、RS232、以太网、USB2.0、光隔离TTL专用接口。

  • 测试结果map保存、导出。


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1. 系统主要特点:

● 测试原理符合国标、军标和相关行业标准。

● 功率参数严格按照300us测试方法,确保器件温升影响控制到最小。

● 16位驱动与测量分辨率,经过系统精密校准,驱动与测试精度更高。电压的驱动与测量精度达到了0.05%(Fs),电流的驱动与测量精度达到了0.1%(Fs)。

● 设备提供40V/40A的功率VI源,大电流可扩至200A。

● 可测试各类二极管、三极管、场效应管、达林顿管、光耦、可控硅、整流桥、二三极管阵列等半导体器件的功能和直流参数。

● 具备二极管自动识别极性功能。

● 采用四线开尔文插座测试贴片器件,确保精度和稳定性满足测试要求。

● 测试头内具有独立精密测量单元,可用于MOSFET Rds(on)等微弱电压的精确稳定测量。

2. 主要测试品种的参数测量范围

  • 二极管测试参数:Vf;Ir;HIr;Vr;Vr;Rz;

  • 三极管测试参数:Iceo、Ices、Icer、Icex;Icbo、Icbs;Iebo;BVceo、BVces、BVcer、BVcex;BVcbo、BVcbs;BVebo;Vbesat;Vcesat;HFE;

  • MOSFET测试参数:VGSth;Igssr、Igssf;Idon;Rdson;Vdon;Vfsd;Idss;BVdss;GFS;DeltaBVdss;DIVID;DeltaVgsth;

  • 可控硅测试参数:Igt;Vgt;Vt;Id;Ido;Ir;Vd;Vdo;Vr;Vro;Ih;Il

二极管参数测量范围

测试参数

测试范围

测试条件范围

正向直流电压 Vf

0-20V

If电流范围:0-40A(扩流200A)

反向漏电流 Ir

0-10mA

Vr电压范围:0-2000V

反向电流 HIr

      0-400mA

Vr电压范围:0-40V

反向击穿电压 Vr

0-2000V

Ir电流范围:0-10mA

反向齐纳电压 Vz

0-80V

Iz电流范围:0-40A

反向齐纳阻抗 Rz

Rz=△Vz/△Iz

Vz电压测量范围:0-40V

Iz电流范围:0-1A

三极管参数测量范围

测试参数

测试范围

测试条件范围

集电极-发射极截止电流

Iceo、Ices、Icer、Icex

0-10mA

Vce电压范围:0-2000V

集电极-基极截止电流 Icbo、Icbs

0-10mA

Vcb电压范围:0-2000V

发射极-基极截止电流 Iebo

0-10mA

Veb电压范围:0-2000V

集电极-发射极击穿电压

BVceo、BVces、BVcer、BVcex

0-1000V

Ice电流范围:0-10mA

集电极-基极击穿电压BVcbo、BVcbs

0-2000V

Icb电流范围:0-10mA

发射极-基极击穿电压 BVebo

0-2000V

Ieb电流范围:0-10mA

基极-发射极饱和电压 Vbesat

0-40V

Ib电流范围:0-40A

Ic电流范围:0-40A

集电极-发射极饱和电压 Vcesat

0-40V

Ib电流范围:0-40A

Ic电流范围:0-40A

放大倍数

HFE

HFE=Ic/Ib

Ib测量范围:0-40A

Vce电压范围:0-40V

Ic电流范围: 0-40A(扩流200A)

MOSFET参数测量范围

测试参数

测试范围

测试条件范围


栅源阈值电压 VGSth

0-40V

Id电流范围:0-400mA


栅源漏电流 Igssr、Igssf

0-10mA

电压范围:0-40V


漏极电流 Idon

0-40A

(扩流200A)

Vds电压范围:0-40V

Vgs电压范围:0-20V


漏源通态电阻 Rdson

Rdson=Vds/Ids

Vds测量范围:0-10V

电流范围:0-40A(扩流200A)

Vgs电压范围:0-20V


漏源通态电压

Vdon

0-10V

Id电流范围:0-40A(扩流200A)

Vgs电压范围:0-20V


`二极管正向压降 Vfsd

0-40V

Isd电流范围:0-40A(扩流200A)


漏源漏电流 Idss

0-10mA

电压范围:0-2000V     


漏源击穿电压 BVdss

0-2000V

电流范围:0-10mA


正向传输比

GFS

GFS=△Ids/△Vds

Vgs测量范围:0-20V

电压范围:0-50V(40A以内)

电流范围:0-40A(扩流200A)


漏源击穿电压差

DeltaBVdss

△BVdss=

BVdss1-BVdss2

BVdss测量范围:0-2000V

Ids电流范围:0-10mA


漏源击穿电压变化率

DIVID

DIVID=

△BVdss/BVdss1

BVdss测量范围:0-2000V

Ids电流范围:0-10mA


栅源阈值电压差

 DeltaVgsth

△Vth=Vth1-Vth2

Vth测量范围:0-40V

Id电流范围:0-400mA


可控硅参数测量范围

测试参数

测试范围

测试条件范围

控制极触发电流 Igt

 

0-400mA

阳极电流范围:0-40A

(扩流200A)

阳极电压范围:0-40V

控制极触发电压 Vgt

0-40V

阳极电流范围:0-40A

(扩流200A)

阳极电压范围:0-40V

通态直流电压

Vt

0-40V

阳极电流范围:0-40A

(扩流200A)

控制端电流范围:0-400mA

断态电流 Id

0-10mA

阳极电压范围:0-2000V

开路断态电流 Ido

(控制极开路)

0-10mA

阳极电压范围:0-2000V

反向电流 Ir

0-10mA

阳极反向电压范围:0-2000V

开路反向电流 Ir

0-10mA

阳极反向电压范围:0-2000V

断态电压 Vd

0-2000V

阳极电流范围:0-10mA

开路断态电压 Vdo

(控制极开路)

0-2000V

阳极电流范围:0-10mA

反向电压 Vr

0-2000V

阳极反向电流范围:0-10mA

开路反向电压 Vro

(控制极开路)

0-2000V

阳极电流范围:0-10mA

维持电流 Ih

0-400mA

阳极电压范围:0-40V

控制端电流范围:0-400mA

擎住电流 Il

0-400mA

阳极电压范围:0-40V

控制端电流范围:0-400mA

*其中Igt、Vgt、Vt、Ih、Il参数支持四象限测试。